پنج شنبه 14 فروردین 1399

بنیاد ملی نخبگان

بنیاد نخبگان استانها

بنیاد نخبگان استانها

پیوندها

تلاش پژوهشگران برای ساخت جایگزین حافظه‌های فلش‌

با پیشرفت فناوری، نیاز به حافظه‌هایی با ظرفیت ذخیره‌سازی بالاتر، احساس می‌شود. محققان با الهام از روشی که نورون‌های مغز، اطلاعات را پردازش می‌کنند درصدد ساخت حافظه‌هایی هستند که این نیاز را برآورده سازند.

با پیشرفت فناوری، نیاز به حافظه‌هایی با ظرفیت ذخیره‌سازی بالاتر، احساس می‌شود. محققان با الهام از روشی که نورون‌های مغز، اطلاعات را پردازش می‌کنند درصدد ساخت حافظه‌هایی هستند که این نیاز را برآورده سازند.

به گزارش پایگاه خبری تحلیلی فناوری و نوآوری، پژوهشگران با پشتیبانی مالی بنیاد ملی علوم سوئیس، قطعه الکترونیکی جدیدی ساخته‌اند که می‌تواند جایگزین حافظه‌های فلش گردد. این قطعه که ممریستور (ممریستور یا پایدارکننده حافظه از المان‌های دوپایانه‌ای مدارها هستند) نام دارد، روزی در کامپیوترهای جدید مورد استفاده قرار خواهد گرفت.

می‌تواند روزی جایگزین حافظه‌های فلش (DRAM) گردد و در حافظه‌های همراه یواس‌بی، کارت‌های اس‌دی و هارد درایوهای اس‌اس‌دی مورد استفاده قرار گیرد. دکتر جنیفر راپ ، استاد دانشکده مواد در دانشگاه ای‌تی‌اچ زوریخ (ETH) این قطعه الکترونیکی را چنین توصیف می‌کند: «اصولا، ممریستورها نیاز به مصرف انرژی کمتری دارند چراکه در ولتاژهای پایین‌تر کار می‌کند. آن‌ها می‌توانند نسبت به حافظه‌های مورداستفاده امروزی بسیار کوچکتر باشند و در نتیجه فشردگی بیشتری خواهند داشت. این بدان معناست که می‌توان مقدار بیشتری اطلاعات را در هر میلی‌متر مربع، ذخیره‌سازی کرد.» اما ممریستورها هنوز در مرحله پیش‌نمونه قرار دارند.

جنیفر راپ، به همراه همکار خود مارک کوبیچک، یک ممریستور را که تنها 5 نانومتر ضخامت داشت، بر روی یک لایه پروسکایتی: Perovskite) با فرمول شیمیایی CaTiO3 از مجموعه کانیهاست) ساختند. نکته جالب این بود که وی نشان داد این مولفه دارای سه حالت مقاومتی پایدار است. در نتیجه نه تنها 0 و 1 های استاندارد را می‌تواند ذخیره کند، بلکه می‌تواند برای ذخیره‌سازی اطلاعاتی که به صورت 0، 1 و 2 کدگذاری شده‌اند نیز به‌کار‌ رود. وی افزود: «مولفه تولیدی ما می‌تواند برای فناوری اطلاعاتی جدیدی که بر مبنای منطق 0 و 1 نیست نیز به‌کار رود، اما همچنان می‌توان همان منطق 0 و1 را نیز به‌کار برد. این کار به طور ضمنی به منطق فازی برمی‌گردد که به دنبال نوعی عدم اطمینان در پردازش اطلاعات دیجیتال است.»

یک کاربرد بالقوه دیگر، محاسبات نرومورفیک (neuromorphic) است که هدف آن استفاده از مولفه‌های الکترونیک برای تولید مجدد روش‌هایی است که نورون‌ها اطلاعات را درون مغز پردازش می‌کنند.

محققان در دانشگاه ای‌تی‌اچ زوریخ با جزییات ِکامل عملکرد این مولفه‌ها را از طریق مطالعات الکترو-شیمیایی شرح دادند. به گفته یکی از محققین:«ما قادریم حامل‌های الکتریکی را شناسایی کرده و رابطه آنها با سه وضعیت پایدار را بیابیم. این یک دانش بسیار مهم برای علم مواد است که می‌تواند در بهبود روش‌های ذخیره‌سازی و کارایی آنها مفید باشد.»

منبع : http://www.azonano.com/news.aspx?newsID=34002

 

تاریخ انتشار : 1394/08/20
کد : 72679
تعداد بازدید: 221

    تمامی حقوق متعلق به این سایت برای بنیاد ملی نخبگان محفوظ می باشد
آدرس: خیابان آزادی- بین خیابان نواب و رودکی- جنب کوچه طاهرنیا- پلاک 209 تلفن: 63478000 - 09601